Zobrazeno 1 - 10
of 490
pro vyhledávání: '"Banerjee, Kaustav"'
Autor:
Kumar, Ankit, Xu, Lin, Pal, Arnab, Agashiwala, Kunjesh, Parto, Kamyar, Cao, Wei, Banerjee, Kaustav
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/7/2024, Vol. 136 Issue 9, p1-12, 12p
Publikováno v:
Clinical Ophthalmology. Jul2024, Vol. 18, p1901-1908. 8p.
Autor:
Xie, Xuejun, Chorsi, Hamid T., Agashiwala, Kunjesh, Chang, Hsun-Ming, Kang, Jiahao, Chu, Jae Hwan, Sarpkaya, Ibrahim, Htoon, Han, Schuller, Jon A., Banerjee, Kaustav
The demand for higher resolution displays drives the demand for smaller pixels. Displays show a trend of doubling the pixel number every 4 years and doubling the pixel per inch (PPI) every 6 years. As the prospective candidate for next-generation dis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.10077
Irradiation of Nanostrained Monolayer WSe$_2$ for Site-Controlled Single-Photon Emission up to 150 K
Publikováno v:
Nature Communications 12, 3585 (2021)
Quantum-dot-like WSe$_2$ single-photon emitters have become a promising platform for future on-chip scalable quantum light sources with unique advantages over existing technologies, notably the potential for site-specific engineering. However, the re
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2009.07315
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cao, Wei, Banerjee, Kaustav
In this paper, we take a fresh look at the physics and operation of Negative Capacitance FETs, and provide unambiguous feedback to the device designers by examining NC-FETs' design space for sub-60 mV/dec Subthreshold Swing (SS). Straightforward desi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.07964
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Thermal Engineering 5 February 2021 184
This paper introduces monolayer molybdenum disulfide (MoS2) based junction-less (JL) field-effect transistor (FET) and evaluates its performance at the smallest foreseeable (5.9 nm) transistor channel length as per the International Technology Roadma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.00561
Publikováno v:
Journal of Diabetes Research. 9/1/2022, p1-8. 8p.