Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tungsten metal gate etching in Cl2/O2 inductively coupled high density plasmas.

Autor: Morel, T., Bamola, S., Ramos, R., Beaurain, A., Pargon, E., Joubert, O.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; Nov2008, Vol. 26 Issue 6, p1875-1882, 8p, 8 Black and White Photographs, 1 Diagram, 2 Charts, 9 Graphs

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.