Zobrazeno 1 - 10 of 234 pro vyhledávání: '"Balland, B"'
1
Akademický článek
Towards a model linking tunnel oxide degradation to programming window closure in EEPROM cells
Autor: Baboux, N., Busseret, C., Plossu, C., Burignat, S., Balland, B., Boivin, P.
Publikováno v: In Journal of Non-Crystalline Solids 2003 322(1):240-245
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Effect of some technological parameters on Fowler–Nordheim injection through tunnel oxides for non-volatile memories
Autor: Croci, S. *, Plossu, C., Balland, B., Raynaud, C., Boivin, Ph.
Publikováno v: In Journal of Non-Crystalline Solids 2001 280(1):202-210
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Theoretical and experimental study of the conduction mechanism in Al/Ta 2O 5/SiO 2/Si and Al/Ta 2O 5/Si 3N 4/Si structures
Autor: Chaneliere, C. a, *, Autran, J.L. a, Four, S. a, b, Devine, R.A.B. b, Balland, B. a
Publikováno v: In Journal of Non-Crystalline Solids 1999 245(1):73-78
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Dynamic stressing of thin tunnel oxides: a way to emulate a single EEPROM cell programming function
Autor: Plossu, C a, *, Voisin, J.M a, Bos, B a, Raynaud, C a, Bouchakour, R b, Boivin, P c, Balland, B a
Publikováno v: In Journal of Non-Crystalline Solids 1999 245(1):85-91
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electrical properties of oxynitride thin films using noise and charge pumping measurements
Autor: Masson, P a, b, *, Morfouli, P a, Autran, J.L b, Brini, J a, Balland, B b, Vogel, E.M c, Wortman, J.J c
Publikováno v: In Journal of Non-Crystalline Solids 1999 245(1):54-58
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Chapter 1 Silica, silicon nitride and oxynitride thin films: An overview of fabrication techniques, properties and applications
Autor: Balland, B., Glachant, A.
Publikováno v: In Instabilities in Silicon Devices 1999 3:3-144
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Chapter 6 Charge pumping techniques: Their use for diagnosis and interface states studies in MOS transistors
Autor: Autran, J.L., Balland, B., Barbottin, G.
Publikováno v: In Instabilities in Silicon Devices 1999 3:405-493
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Characterization of Si–SiO2 interface states: Comparison between different charge pumping and capacitance techniques.
Autor: Autran, J. L., Seigneur, F., Plossu, C., Balland, B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/1993, Vol. 74 Issue 6, p3932, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje