Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Balachandran, Geethu"'
Autor:
Balachandran, Geethu
Anode materials with high specific capacity, long service life, short charging times, high energy density and low cost should be used to meet the current requirements for lithium-ion batteries. By fine-tuning the low cost and environmentally friendly
Externí odkaz:
http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/8553/1/14032019_Geethu%20Balachandran_PHD%20Thesis.pdf
Autor:
Tian, Guiying, Scheiba, Frieder, Pfaffmann, Lukas, Fiedler, Andy, Chakravadhanula, Venkata Sai Kiran, Balachandran, Geethu, Zhao, Zijian, Ehrenberg, Helmut
Publikováno v:
In Electrochimica Acta 1 September 2018 283:1375-1383
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Balachandran, Geethu, Dixon, Ditty, Bramnik, Natalia, Bhaskar, Aiswarya, Yavuz, Murat, Pfaffmann, Lukas, Scheiba, Frieder, Mangold, Stefan, Ehrenberg, Helmut
Publikováno v:
ChemElectroChem; Oct2015, Vol. 2 Issue 10, p1510-1518, 9p
Autor:
Muraleetharan Boopathi, Jong Hyun Ahn, P. Cusumano, E.F. Calandra, F. Wu, Maximillian Thurmer, Christian Benz, Salvatore Stivala, Himadri Pandey, C. Arnone, Geethu Balachandran, Min-Ho Jang, Romain Danneau, Alessandro Busacca, Antonio Benfante, Wolfram H. P. Pernice, Marco A. Giambra, Riccardo Pernice
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society. 7:964-968
In this work, we report on the design, fabrication and characterization of Metal-Oxide Graphene Field-effect Transistors (MOGFETs) exploiting novel clamped gate geometries aimed at enhancing the device transconductance. The fabricated devices employ