Zobrazeno 1 - 10
of 316
pro vyhledávání: '"Baklanov, Mikhail R."'
Autor:
Baklanov, Mikhail R.1,2 (AUTHOR) baklanovmr@gmail.com, Gismatulin, Andrei A.3 (AUTHOR) aagismatulin@isp.nsc.ru, Naumov, Sergej4 (AUTHOR) sergej.naumov@iom-leipzig.de, Perevalov, Timofey V.3 (AUTHOR) timson@isp.nsc.ru, Gritsenko, Vladimir A.3,5 (AUTHOR) grits@isp.nsc.ru, Vishnevskiy, Alexey S.1 (AUTHOR) baklanovmr@gmail.com, Rakhimova, Tatyana V.6 (AUTHOR) trakhimova@mics.msu.su, Vorotilov, Konstantin A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Polymers (20734360). Aug2024, Vol. 16 Issue 15, p2230. 47p.
Autor:
Vishnevskiy, Alexey S., Seregin, Dmitry S., Palov, Alexander P., Orlov, Georgy A., Yakushev, Vladislav A., Ovchinnikov, Ivan S., Vorotilov, Konstantin A., Baklanov, Mikhail R.
Publikováno v:
In Microporous and Mesoporous Materials 1 January 2024 363
Autor:
Postolova, Svetlana V., Mironov, Alexey Yu., Barrena, Víctor, Benito-Llorens, Jose, Rodrigo, Jose Gabriel, Suderow, Hermann, Baklanov, Mikhail R., Baturina, Tatyana I., Vinokur, Valerii M.
Publikováno v:
Phys. Rev. Research 2, 033307 (2020)
We study the electronic densities of states (DOS) of strongly disordered superconducting thin films of TiN. We find, using Scanning Tunneling Microscopy (STM) that the DOS decreases towards the Fermi level in the normal phase obtained by applying mag
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.01763
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xu, Haoyu, Hu, Zheng-Jun, Qu, Xin-Ping, Wan, Hao, Yan, Shen-Suo, Li, Ming, Chen, Shou-Mian, Zhao, Yu-Hang, Zhang, Jing, Baklanov, Mikhail R.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 31 December 2019 498
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Yingjie, He, Peng, Zhang, Jing, Yan, Jiang, Lopaev, Dmitry V., Qu, Xin-Ping, Baklanov, Mikhail R.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 October 2018 198:22-28
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.