Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Bakerenkov, A S"'
We have presented a compact MOSFET model, which allows us to describe the I-V characteristics of irradiated long-channel and short-channel transistors in all operation modes at different measurement temperatures and interface trap densities. The mode
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1702.06454
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p74-78, 5p
Publikováno v:
Evolutionäre Medizin; 2016, p524-527, 4p
Autor:
Pershenkov, Viacheslav S., Telets, Vitaliy A., Bakerenkov, Alexander S., Rodin, Alexander S., Felitsyn, Vladislav A., Belyakov, Vladimir V.
Publikováno v:
Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena; Mar/Apr2019, Vol. 174 Issue 3/4, p320-328, 9p
Autor:
Felitsyn, Vladislav A., Bakerenkov, Alexander S., Pershenkov, Viacheslav S., Rodin, Alexander S., Belyakov, Vladimir V., Shurenkov, Vladimir V., Glukhov, Nikita S.
Publikováno v:
2015 15th European Conference on Radiation & Its Effects on Components & Systems (RADECS); 2015, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bakerenkov, Alexander S., Pershenkov, Viacheslav S., Felitsyn, Vladislav A., Rodin, Alexander S., Telets, Vitaly A., Belyakov, Vladimir V., Shurenkov, Vladimir V.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; Aug2017, Vol. 64 Issue 8 Part 1, p2227-2234, 8p
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p213-215, 3p
Publikováno v:
KnE Engineering; 10/8/2018, p103-105, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.