Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Baines Y"'
Autor:
Niimi, Y., Baines, Y., Capron, T., Mailly, D., Lo, F. -Y., Wieck, A. D., Meunier, T., Saminadayar, L., Bauerle, C.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 102, 226801 (2009)
We present phase coherence time measurements in quasi-one-dimensional mesoscopic wires made from high mobility two-dimensional electron gas. By implanting gallium ions into a GaAs/AlGaAs heterojunction we are able to vary the diffusion coefficient ov
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0809.1381
Autor:
Capron, T., Niimi, Y., Baines, Y., Mailly, D., Lo, F. -Y., Melnikov, A., Wieck, A. D., Saminadayar, L., Bäuerle, C.
We present phase coherence time measurements in quasi-one-dimensional Ag wires implanted with Ag$^{+}$ ions with an energy of $100 keV$. The measurements have been carried out in the temperature range from $100 mK$ up to $10 K$; this has to be compar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0711.1810
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 February 2018 483:89-93
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In High Mobility Materials for CMOS Applications 2018:115-158
Autor:
Amano, H., Baines, Y., Borga, M., Bouchet, T., Chalker, P.R., Charles, M., Chen, K.J., Chowdhury, N., Chu, R., De Santi, C., De Souza, M.M., Decoutere, S., Di Cioccio, L., Eckardt, B., Egawa, T., Fay, P., Freedsman, J.J., Guido, L., Häberlen, O., Haynes, G., Heckel, T., Hemakumara, D., Houston, P., Hu, J., Hua, M., Huang, Q., Huang, A., Jiang, S., Kawai, H., Kinzer, D., Kuball, M., Kumar, A., Lee, K.B., Li, X., Marcon, D., März, M., McCarthy, R., Meneghesso, G., Meneghini, M., Morvan, E., Nakajima, A., Narayanan, E.M.S
Gallium nitride (GaN) is a compound semiconductor that has tremendous potential to facilitate economic growth in a semiconductor industry that is silicon-based and currently faced with diminishing returns of performance versus cost of investment. At
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::7d60632cc8f97f053d83a097afdcaf68
https://eprints.whiterose.ac.uk/129453/1/Amano_2018_J._Phys._D%3A_Appl._Phys._51_163001.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/129453/1/Amano_2018_J._Phys._D%3A_Appl._Phys._51_163001.pdf
Autor:
Lehmann, J., Leroux, C., Reimbold, G., Charles, M., Torres, A., Morvan, E., Baines, Y., Ghibaudo, G., Bano, E.
Publikováno v:
Proceedings of the 2015 International Conference on Microelectronic Test Structures; 2015, p163-168, 6p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ando, Takashi, Baines, Y., Charles, M., Czornomaz, L., Deshpande, V., Fompeyrine, J., Hahn, Herwig, Hashemi, Pouya, Ionescu, Adrian, Kuhn, Kelin, Merckling, Clement, Morvan, E., Jan Offrein, Bert, Seifried, Marc, Simoen, Eddy, Thean, Aaron V.-Y., Torres, A., Waldron, Niamh
Publikováno v:
In High Mobility Materials for CMOS Applications 2018:xi-xi