Zobrazeno 1 - 10
of 153
pro vyhledávání: '"Baidus', N. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aleshkin, V. Ya.1 (AUTHOR), Baidus, N. V.2 (AUTHOR), Dubinov, A. A.1 (AUTHOR) sanya@ipmras.ru, Kudryavtsev, K. E.1 (AUTHOR), Nekorkin, S. M.2 (AUTHOR), Kruglov, A. V.2 (AUTHOR), Reunov, D. G.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Aug2019, Vol. 53 Issue 8, p1138-1142. 5p.
Autor:
Baidus, N. V.1 (AUTHOR), Kukushkin, V. A.2,3 (AUTHOR) vakuk@appl.sci-nnov.ru, Nekorkin, S. M.1 (AUTHOR), Kruglov, A. V.1,3 (AUTHOR), Reunov, D. G.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Mar2019, Vol. 53 Issue 3, p326-331. 6p.
Autor:
Baidus, N. V.1 bnv@nifi.unn.ru, Aleshkin, V. Ya.2 aleshkin@ipm.sci-nnov.ru, Dubinov, A. A.2 sanya@ipm.sci-nnov.ru, Krasilnik, Z. F.2, Kudryavtsev, K. E.2, Nekorkin, S. M.1, Novikov, A. V.2, Rykov, A. V.1, Reunov, D. G.1, Shaleev, M. V.2, Yunin, P. A.2, Yurasov, D. V.2
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 12, p1547-1550. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aleshkin, V. Ya.1,2, Baidus, N. V.2, Vikhrova, O. V.2, Dubinov, A. A.1,2 sanya@ipmras.ru, Zvonkov, B. N.2, Krasilnik, Z. F.1,2, Kudryavtsev, K. E.1,2, Nekorkin, S. M.2, Novikov, A. V.1,2, Rykov, A. V.2, Samartsev, I. V.2, Yurasov, D. V.1,2
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Aug2018, Vol. 44 Issue 8, p735-738. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sushkov, A. A., Pavlov, D. A., Shengurov, V. G., Denisov, S. A., Chalkov, V. Yu., Baidus, N. V., Rykov, A. V., Kryukov, R. N.
Publikováno v:
Semiconductors; Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1242-1245, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.