Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Bai, Ruiheng"'
Autor:
Yang, Fangyuan, Bai, Ruiheng, Zibrov, Alexander A., Joy, Sandeep, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Skinner, Brian, Goerbig, Mark O., Young, Andrea F.
The phase diagram of an interacting two-dimensional electron system in a high magnetic field is enriched by the varying form of the effective Coulomb interaction, which depends strongly on the Landau level index. While the fractional quantum Hall sta
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.04319
Autor:
Herr, Anna, Herr, Quentin, Brebels, Steve, Kim, Min-Soo, Pokhrel, Ankit, Hodges, Blake, Josephsen, Trent, ONeal, Sabine, Bai, Ruiheng, Nowack, Katja, Valente-Feliciano, Anne-Marie, Tökei, Zsolt
We describe a fabrication stackup for digital logic with 16 superconducting NbTiN layers, self-shunted a-silicon barrier Josephson Junctions (JJs), and low loss, high-$\kappa$ tunable HZO capacitors. The stack enables 400 MJJ/cm$^2$ device density, e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.16792
Autor:
Yang, Fangyuan, Zibrov, Alexander A., Bai, Ruiheng, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Zaletel, Michael P., Young, Andrea F.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 126, 156802 (2021)
We describe an experimental technique to measure the chemical potential, $\mu$, in atomically thin layered materials with high sensitivity and in the static limit. We apply the technique to a high quality graphene monolayer to map out the evolution o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2008.05466
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.