Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Baganov, Ye.A."'
Publikováno v:
In Mathematical Biosciences September 2018 303:148-154
Publikováno v:
In Informatics in Medicine Unlocked 2018 10:45-49
Publikováno v:
In Computers in Biology and Medicine 1 December 2016 79:144-148
Near band-edge luminescence of semi-insulating undoped gallium arsenide at high levels of excitation
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2009 129(9):1029-1031
Autor:
Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Influence of strains that appear in GaSb/InAs heterosystem on heteroepitaxial layer planarity is considered. It is shown that minimal supercooling of solution-melt at the saturation temperature of gallium antimonide in gallium melt 450 ºC is 7.8 º�
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::6d3173e53d6504a127511b5e1e534ea9
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121579
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121579
Autor:
Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Mechanical strains taking place in GaSb/InAs heterosystem in the presence of misfit dislocation network are investigated. Distributions of energy of strains and deformations in the system with misfit dislocation network were found using two-dimension
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::31679241fb55907945536cd83a5ad9e4
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121427
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121427
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.