Zobrazeno 1 - 10
of 213
pro vyhledávání: '"Bae, Hagyoul"'
Autor:
Park, Seohyeon, Yoo, Jaewook, Song, Hyeojun, Lee, Hongseung, Lim, Seongbin, Kim, Soyeon, Park, Minah, Kim, Bongjoong, Heo, Keun, Ye, Peide D., Bae, Hagyoul
We have experimentally demonstrated the effectiveness of beta-gallium oxide (beta-Ga2O3) ferroelectric fin field-effect transistors (Fe-FinFETs) for the first time. Atomic layer deposited (ALD) hafnium zirconium oxide (HZO) is used as the ferroelectr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.18187
Autor:
Bae, Hagyoul, Lee, Geon Bum, Yoo, Jaewook, Lee, Khwang-Sun, Ku, Ja-Yun, Kim, Kihyun, Kim, Jungsik, Ye, Peide D., Park, Jun-Young, Choi, Yang-Kyu
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2024 215
Autor:
Bae, Hagyoul, Park, Tae Joon, Noh, Jinhyun, Chung, Wonil, Si, Mengwei, Ramanathan, Shriram, Ye, Peide D.
Nano-membrane tri-gate beta-gallium oxide (\b{eta}-Ga2O3) field-effect transistors (FETs) on SiO2/Si substrate fabricated via exfoliation have been demonstrated for the first time. By employing electron beam lithography, the minimum-sized features ca
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.01721
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yoo, Jaewook, Jo, Hyeun Seung, Jeon, Seung‐Bae, Moon, Taehwan, Lee, Hongseung, Lim, Seongbin, Song, Hyeonjun, Lee, Binhyeong, Yoon, Soon Joo, Kim, Soyeon, Park, Minah, Park, Seohyeon, Jeong, Jo Hak, Heo, Keun, Lee, Yoon Kyeung, Ye, Peide D., Kim, TaeWan, Bae, Hagyoul
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials; Aug2024, Vol. 10 Issue 8, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2021 185