Zobrazeno 1 - 10
of 887
pro vyhledávání: '"Backward diode"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abhijit Banerjee
Publikováno v:
INTERNATIONAL JOURNAL OF EXPERIMENTAL RESEARCH AND REVIEW. 22:1-7
The photosensitivity of aluminium (Al)/lead sulphide (PbS)/indium tin oxide (ITO) thin layered structure is investigated considering the photon wavelength dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the device. The current-vo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f569979c8f482398d0761f9fba6cb62
https://doi.org/10.52756/ijerr.2020.v22.001
https://doi.org/10.52756/ijerr.2020.v22.001
Autor:
Xianwu Tang, Jie Yang, Ling Hu, Yuping Sun, Renhuai Wei, Xuebin Zhu, Chenhui Li, Bingbing Yang
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 41:541-544
A backward diode consisting of all nondegenerate and transparent semiconducting oxides (TSOs) offers promising opportunities for designing multifunctional electronic devices. In this letter, we report the backward diode rectifying behavior in the non
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40acc6ebf29829e64cdcbd69a0760d68
https://doi.org/10.1109/led.2020.2975005
https://doi.org/10.1109/led.2020.2975005
Autor:
Hobeom Jeon, Juchan Lee, Seungho Bang, Chulho Park, Mun Seok Jeong, Hye Min Oh, Duc Anh Nguyen, Ngoc Thanh Duong, Jiseong Jang
Publikováno v:
Nano Letters. 20:2370-2377
We study the electronic and optoelectronic properties of a broken-gap heterojunction composed of SnSe2 and MoTe2 with gate-controlled junction modes. Owing to the interband tunneling current, our device can act as an Esaki diode and a backward diode
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5163c43974dfa84a2cd9f89b29ae6bae
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04926
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04926
Autor:
Omar M. Saif, Abdelhalim Zekry, Ahmed Shaker, Mohammed Abouelatta, Tarek I. Alanazi, Ahmed Saeed
Publikováno v:
Materials; Volume 16; Issue 6; Pages: 2511
Current mismatch due to solar cell failure or partial shading of solar panels may cause a reverse biasing of solar cells inside a photovoltaic (PV) module. The reverse-biased cells consume power instead of generating it, resulting in hot spots. To pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b7b8854cf71a1636b16c019e59b27632
https://doi.org/10.3390/ma16062511
https://doi.org/10.3390/ma16062511
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Naoya Okamoto, Kiyoto Asakawa, Michihiko Suhara, Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Shinpei Yamashita, Masaru Sato
Publikováno v:
IEICE Transactions on Electronics. :462-465
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f53bf7308831a6339a14089c83285340
https://doi.org/10.1587/transele.2018fus0006
https://doi.org/10.1587/transele.2018fus0006