Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Bachsoliani, N."'
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 8, 064015 (2017)
Nanoelectronic devices embedded in the two-dimensional electron system (2DES) of a GaAs/AlGaAs heterostructure enable a large variety of applications from fundamental research to high speed transistors. Electrical circuits are thereby commonly define
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.02034
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.