Zobrazeno 1 - 10
of 171
pro vyhledávání: '"Baboux, N."'
Autor:
Guenery, P.V., León Pérez, E.A., Ayadi, K., Baboux, N., Deleruyelle, D., Blonkowski, S., Moeyaert, J., Baron, T., Militaru, L., Souifi, A.
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2021 176
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Q., Marconot, O., Piquemal, M., Eypert, C., Borowiak, A.S., Baboux, N., Gautier, B., Benamrouche, A., Rojo-Romeo, P., Robach, Y., Penuelas, J., Vilquin, B.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 28 February 2014 553:85-88
Autor:
Borowiak, A.S., Niu, G., Pillard, V., Agnus, G., Lecoeur, Ph., Albertini, D., Baboux, N., Gautier, B., Vilquin, B.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 May 2012 520(14):4604-4607
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Journal March 2009 40(3):543-546
Autor:
Pelloquin, S., Becerra, L., Saint-Girons, G., Plossu, C., Baboux, N., Albertini, D., Grenet, G., Hollinger, G.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1686-1688
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1700-1702
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2009 517(24):6721-6725
Publikováno v:
Materials Challenges for Memory
Materials Challenges for Memory, Apr 2021, New York, United States.
Materials Challenges for Memory, Apr 2021, New York, United States
Materials Challenges for Memory, Apr 2021, New York, United States.
Materials Challenges for Memory, Apr 2021, New York, United States
International audience; Wake-up effect is a major issue for ferroelectric HfO2-based memory devices. Here, two TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN structures deposited by magnetron sputtering on silicon are compared. The maximum remanant polarization is higher than
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6230d6e5fc273c6a2fa8310d3132cf12
https://hal.science/hal-03273119
https://hal.science/hal-03273119
