Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Babarada, Florin"'
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 March 2017 697:72-79
Publikováno v:
In Procedia Technology 2016 22:1160-1168
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells 2006 90(15):2312-2318
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ravariu, Cristian1 cr682003@yahoo.com, Babarada, Florin1
Publikováno v:
Journal of Nanomaterials. 2011, p1-11. 11p.
Autor:
Pons, Patrick, Ravariu, Cristian, Dragomirescu, Daniela, Babarada, Florin, Prelipceanu, Dan, Patrichi, Bogdan, Gorciu, Cristina, Manuc, Daniela, Salageanu, Aurora
Publikováno v:
International Semiconductor Conference (CAS 2015)
International Semiconductor Conference (CAS 2015), Oct 2015, Sinaia, Romania. pp.113-116, ⟨10.1109/SMICND.2015.7355179⟩
International Semiconductor Conference (CAS 2015), Oct 2015, Sinaia, Romania. pp.113-116, ⟨10.1109/SMICND.2015.7355179⟩
International audience; The main contribution of this paper is to highlight a new work regime of an optimised organic field effect transistor (OFET) respectively volume channel mode. If the device comprises a vertical n + p junction on insulator, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a5e9260468b0cbe109cc39b745d1a8ed
https://hal.laas.fr/hal-02083175
https://hal.laas.fr/hal-02083175
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 International Semiconductor Conference (CAS); 2015, p263-266, 4p
Autor:
Ravariu, Cristian, Dragomirescu, Daniela, Babarada, Florin, Prelipceanu, Dan, Patrichi, Bogdan, Gorciu, Cristina, Manuc, Daniela, Salageanu, Aurora
Publikováno v:
2015 International Semiconductor Conference (CAS); 2015, p113-116, 4p