Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"Baba, Razvan"'
Autor:
Sadwick, Laurence P., Yang, Tianxin, Cito, Michele, Baba, Razvan, Kojima, Osamu, Stevens, Ben J., Mukai, Toshikazu, Hogg, Richard A.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2022, Vol. 12000 Issue: 1 p120000M-120000M-7, 1080008p
Autor:
Baba, Razvan
Publikováno v:
IndraStra Global.
Resonant tunnelling diodes realised in the InGaAs/AlAs compound semiconductor system lattice-matched to InP substrates represent one of the fastest electronic solid-state devices, with demonstrated oscillation capability in excess of 2 THz. Current s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::e69156b3f0fa9bda22c12b815dd27df0
https://igi.indrastra.com/items/show/231615
https://igi.indrastra.com/items/show/231615
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Razeghi, Manijeh, Baba, Razvan, Jacobs, Kristof J.P., Stevens, Benjamin J., Harrison, Brett A., Mukai, Toshikazu, Hogg, Richard A.
Resonant tunnelling diodes (RTDs) are a strong candidate for future wireless communications in the THz region,\ud offering compact, room-temperature operation with Gb/s transfer rates. We employ the InGaAs/AlAs/InP material\ud system, offering advant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::9261bbdca140c8d9bac122d7b3f567aa
https://eprints.gla.ac.uk/146490/1/146490.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/146490/1/146490.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the International Multidisciplinary Scientific GeoConference SGEM; 2014, Vol. 2, p167-174, 8p
Autor:
Huffaker, Diana L., Eisele, Holger, Dick, Kimberly A., Jacobs, Kristof J. P., Baba, Razvan, Stevens, Benjamin J., Mukai, Toshikazu, Ohnishi, Dai, Hogg, Richard A.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2016, Vol. 9758 Issue: 1 p97580L-97580L-6, 878227p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; February 2016, Vol. 9755 Issue: 1 p97552W-97552W-10, 9657659p
PL and PLE characterization of high current density resonant tunnelling diodes for THz applications.
Autor:
Cito, Michele, Baba, Razvan, Kojima, Osamu, Stevens, Ben J., Mukai, Toshikazu, Hogg, Richard A.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 11/28/2021, Vol. 12000, p120000M-120000M-7, 1p
Publikováno v:
2016 41st International Conference on Infrared, Millimeter & Terahertz waves (IRMMW-THz); 2016, p1-2, 2p