Zobrazeno 1 - 10 of 126 pro vyhledávání: '"BOSMAN, GIJS"'
2
Akademický článek
Comprehensive noise performance of ultrathin oxide MOSFETs at low frequencies
Autor: Lee, Jonghwan, Bosman, Gijs
Publikováno v: In Solid State Electronics 2004 48(1):61-71
Zobrazit plný text záznamu
3
Periodical
Low Frequency Electronic Noise Characterization of Au-W/β-Ga2O3 Schottky Diodes.
Autor: Zhang, Bingyu, Chen, Yangyuan, Xian, Minghan, Ren, Fan, Pearton, Stephen J, Bosman, Gijs, Ural, Ant
Publikováno v: ECS Meeting Abstracts; 2024, Vol. MA2024-01 Issue 1, p1560-1560, 1p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Forward-bias diode parameters, electronic noise, and photoresponse of graphene/silicon Schottky junctions with an interfacial native oxide layer.
Autor: An, Yanbin, Behnam, Ashkan, Pop, Eric, Bosman, Gijs, Ural, Ant
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 11, p114307-1-114307-6, 6p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Defect spectroscopy using 1/ fγ noise of gate leakage current in ultrathin oxide MOSFETs
Autor: Lee, Jonghwan, Bosman, Gijs
Publikováno v: In Solid State Electronics 2003 47(11):1973-1981
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Measurements of 1/ f noise amplitude modulated by a large-signal carrier in bipolar junction transistors
Autor: Sanchez, Juan E., Bosman, Gijs *
Publikováno v: In Microelectronics Reliability 2000 40(11):1839-1845
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Characterization of generation–recombination noise using a physics-based device noise simulator
Autor: Hou, Fan-Chi, Bosman, Gijs *, Law, Mark E.
Publikováno v: In Microelectronics Reliability 2000 40(11):1883-1886
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Device reliability study of high gate electric field effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using low frequency noise spectroscopy.
Autor: Rao, Hemant, Bosman, Gijs
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2010, Vol. 108 Issue 5, p053707-37075, 5p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Simultaneous low-frequency noise characterization of gate and drain currents in AlGaN/GaN high electron mobility transistors.
Autor: Rao, Hemant, Bosman, Gijs
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2009, Vol. 106 Issue 10, p103712-1-103712-5, 5p, 2 Diagrams, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Effect of mechanical strain on 1/f noise in metal-oxide semiconductor field-effect transistors.
Autor: Lim, Ji-Song, Acosta, Antonio, Thompson, Scott E., Bosman, Gijs, Simoen, Eddy, Nishida, Toshikazu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar2009, Vol. 105 Issue 5, pN.PAG, 11p, 3 Diagrams, 2 Charts, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje