Zobrazeno 1 - 10
of 1 064
pro vyhledávání: '"BASSANI, F."'
Autor:
Martin, M., Caliste, D., Cipro, R., Alcotte, R., Moeyaert, J., David, S., Bassani, F., Cerba, T., Bogumilowicz, Y., Sanchez, E., Ye, Z., Bao, X. Y., Pin, J. B., Baron, T., Pochet, P.
Publikováno v:
APL 109 253103 (2016)
The integration of III-V on silicon is still a hot topic as it will open up a way to co-integrate Si CMOS logic with photonic vices. To reach this aim, several hurdles should be solved, and more particularly the generation of antiphase boundaries (AP
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.08078
Autor:
Cerba, T., Hauchecorne, P., Martin, M., Moeyaert, J., Alcotte, R., Salem, B., Eustache, E., Bezard, P., Chevalier, X., Lombard, G., Bassani, F., David, S., Beainy, G., Tournié, E., Patriarche, G., Boutry, H., Bawedin, M., Baron, T.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 March 2019 510:18-22
Autor:
Cerba, T., Martin, M., Moeyaert, J., David, S., Rouviere, J.L., Cerutti, L., Alcotte, R., Rodriguez, J.B., Bawedin, M., Boutry, H., Bassani, F., Bogumilowicz, Y., Gergaud, P., Tournié, E., Baron, T.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 January 2018 645:5-9
We theoretically study the effect of ultraslow group velocities on the emission of Vavilov-Cherenkov radiation in a coherently driven medium. We show that in this case the aperture of the group cone on which the intensity of the radiation peaks is mu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/quant-ph/0103059
Autor:
Bassani, F., Lucarini, V.
Publikováno v:
IL Nuovo Cimento D Vol. 20, No. 7-8, Jul-Aug 1998
The nonlinear oscillator model allows a basic understanding of all nonlinear processes and can be adopted to analyse optical vibrational modes and electronic transition in molecules and crystals, in order to derive general properties of harmonic gene
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9812026
Autor:
Bogumilowicz, Y., Hartmann, J.M., Rochat, N., Salaun, A., Martin, M., Bassani, F., Baron, T., David, S., Bao, X.-Y., Sanchez, E.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 November 2016 453:180-187
Autor:
Brouzet, V., Salem, B., Periwal, P., Alcotte, R., Chouchane, F., Bassani, F., Baron, T., Ghibaudo, G.
Publikováno v:
In Solid State Electronics April 2016 118:26-29
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.