Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"BAND DISCONTINUITIES"'
Publikováno v:
Progress in Physics of Applied Materials, Vol 2, Iss 1, Pp 71-75 (2022)
The lattice-matched system (GaAs)n/(AlAs)n superlattice is calculated for two different values of n=3 and 6 within ab initio pseudopotential density-functional theory using Quantum Espresso package of program exploiting the ultra-soft atomic pseudopo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cf7120d299e74bc5bb6a7a407d82268f
Publikováno v:
Journal of Photochemistry & Photobiology A: Chemistry. Feb2007, Vol. 186 Issue 2/3, p242-247. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G Margaritondo
Publikováno v:
Reports on Progress in Physics. 62:765-808
The experimental and theoretical progress in understanding the electronic structure and the related parameters of Schottky interfaces and heterojunctions is reviewed. Particular emphasis is devoted to the solution of several historical controversial
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::763afb3694f894a38940bd191148cae2
https://doi.org/10.1088/0034-4885/62/5/203
https://doi.org/10.1088/0034-4885/62/5/203
Autor:
Giorgio Margaritondo, Antonio Terrasi, J. Ivanco, Tiziana dell’Orto, Carlo Coluzza, J. Almeida
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We report a modification by thin silicon nitride intralayers of the Au/n-GaAs)(100) Schottky barrier height. Thin intralayers were obtained by nitridation of evaporated Si films on decapped GaAs substrates in an argon-nitrogen mixture plasma. The nit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cafdae425b227f5737805f26aba02e7e
https://doi.org/10.1063/1.363847
https://doi.org/10.1063/1.363847
Publikováno v:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
The electron transport properties in Al 0.25Ga 0.75N/AlN/GaN/In xGa 1-xN/GaN double heterostructures with various indium compositions and GaN channel thicknesses were investigated. Samples were grown on c-plane sapphire substrates by MOCVD and evalua
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::24196476a58ef8aa7d09b674f9c0ba46
https://hdl.handle.net/11693/21566
https://hdl.handle.net/11693/21566
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.