Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"BAI Yongbiao"'
Publikováno v:
Meitan kexue jishu, Vol 51, Iss 3, Pp 37-51 (2023)
There are significant differences in abutment pressure distribution and rock mass deformation on both sides of section coal pillar under different working conditions, the influence of different abutment pressures on the overall stability of coal pill
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c9b8b83885844ada6071252dd2252a4
Autor:
Shen, Guiying, Zhao, Youwen, Bai, Yongbiao, Yu, Ding, Liu, Jingming, Xie, Hui, Dong, Zhiyuan, Yang, Jun, Yang, Fengyun, Wang, Fenghua
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing September 2018 84:115-118
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu Tong, Dong Zhiyuan, Shen Guiying, Bai Yongbiao, Liu Jingming, Su Jie, Yang Jun, Zhao Youwen
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 37:103004
Beta-type gallium oxide (β-Ga2O3) is a new attractive material for optoelectronic devices. Different methods had been tried to grow high quality β-Ga2O3 crystals. In this work, crystal growth of Ga2O3 has been carried out by chemical vapor transpor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::09fb273279b266145ce765db648072b5
https://doi.org/10.1088/1674-4926/37/10/103004
https://doi.org/10.1088/1674-4926/37/10/103004
Autor:
Su Jie, Liu Tong, Liu Jingming, Yang Jun, Shen Guiying, Bai Yongbiao, Dong Zhiyuan, Zhao Youwen
Publikováno v:
Journal of Semiconductors; Oct2016, Vol. 37 Issue 10, p1-1, 1p