Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Low thermal resistance of a GaN-on-SiC transistor structure with improved structural properties at the interface

Autor: Chao Xia, Jr Tai Chen, Martin Kuball, Chariya Virojanadara, Niklas Rorsman, James W Pomeroy, Erik Janzén, Urban Forsberg

Publikováno v: Chen, J T, Pomeroy, J W, Rorsman, N, Xia, C, Virojanadara, C, Forsberg, U, Kuball, M H H & Janzén, E 2015, ' Low thermal resistance of a GaN-on-SiC transistor structure with improved structural properties at the interface ', Journal of Crystal Growth, vol. 428, pp. 54-58 . https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.07.021

The crystalline quality of AlGaN/GaN heterostructures was improved by optimization of surface pretreatment of the SiC substrate in a hot-wall metal-organic chemical vapor deposition reactor. X-ray photoelectron spectroscopy measurements revealed that

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::724536a3700174b4da03cda97f5fe614
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.07.021