Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"B.S. Suh"'
Autor:
Won-Sok Lee, Duhyun Lee, Sang Ho Jeon, Son Juho, D. Minn, Dae-Woong Kang, Sung-Gi Yang, Y. Aoki, J. Jang, Ki-chul Kim, Hyun-Chul Park, Jung-hyeon Kim, Soon-yeon Park, S. Kim, J. H. Lee, J.M. Park, B.S. Suh, M. Kim, Chung-woo Kim, Jung-Hyoung Lee, Kyung-Hoon Min, A.-S. Ryu, Young-Wug Kim, S.Y. Lee
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
This paper presents design challenges and solutions for the fifth generation (5G) phased-array transceiver ICs in millimeter-wave (MMW) frequency bands. A 28nm bulk CMOS device technology is selected to integrate multiple RF phased-array elements in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d86ad2928f3bbabca4604eaa3f43d36b
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371948
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371948
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.T. Kim, Hong-jae Shin, M.Y. Kim, H. K. Kang, S.W. Nam, Y.J. Moon, Suk-Joo Lee, Tae-Kyung Kim, S.M. Choi, Young-Jin Wee, I.R. Kim, J.W. Hwang, B.S. Suh, J.E. Ku, Jae-Duk Lee, Won Ho Choi, G.P. Suh, K. W. Lee, Jung-hyeon Kim, Hyeon-deok Lee, I.H. Oh, A.M. Lee, Nae-In Lee, K.-K. Park, Soon-yeon Park, J.Y. Maeng
Publikováno v:
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004..
We present the effect of mechanical strength and residual stress of dielectric barrier on electromigration performance in Cu/low-k interconnects. It has been discovered that mechanical strength and residual stress of dielectric capping layer have a g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::17e857fa1202c6ab089b66acb91a486b
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419343
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419343
Autor:
H.-K. Kang, D.H. Lee, Jin-Yang Kim, Young-Jin Wee, S.Y. Kim, Chang-Sub Lee, T.K. Kim, W.S. Song, Seung-Man Choi, Sun-Young Kim, D.K. Jeong, B.S. Suh, Kang-Deog Suh, Kyu-Charn Park, Tae-hun Kim
Publikováno v:
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320).
The pseudo-breakdown (PBD) phenomenon has been investigated in intra-level reliability assessment of Cu-interconnects. Field and intralevel spacing dependence show that PBDs form an irreversible permanent damage path that differs from that of HBDs by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b502b65aff7ed44eff5ae499ba5ae117
https://doi.org/10.1109/relphy.2002.996653
https://doi.org/10.1109/relphy.2002.996653
Publikováno v:
59th EAGE Conference & Exhibition.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a77f0a139a7cb1629ab260b6ec2badff
https://doi.org/10.3997/2214-4609-pdb.131.gen1997_p078
https://doi.org/10.3997/2214-4609-pdb.131.gen1997_p078
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.