Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"B.S. Freer"'
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 237:372-377
Mass resolution is a common and fairly easy-to-measure quantity in ion implantation. The interpretation of mass spectra and the calculated mass resolution ( M /Δ M ), however, is not always straightforward. The effect of mass resolution on important
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e89a6d014ab4b681b74e7a1b8c34b628
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.05.036
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.05.036
Autor:
Kaoru Nakajima, B.S. Freer, Takaaki Aoki, Y. Oota, M. Ameen, Aditya Agarwal, A. Stevenson, Kenji Kimura, Jiro Matsuo, Motofumi Suzuki
Publikováno v:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 211(2):206-210
Silicon wafers of (1 0 0) orientation are implanted with 3 keV As + or 6 keV As 2 + ions at room temperature with fluences 1 × 10 14 –4 × 10 14 atoms cm −2 . The depth profiles of implanted As are measured by high-resolution Rutherford backscat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e6683e7b7afb7e6d7a1d3cdc5cbe3892
http://hdl.handle.net/2433/4889
http://hdl.handle.net/2433/4889
Publikováno v:
Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on.
Low energy arsenic implants used in the formation of ultra-shallow junctions are characterized on the GSD/Ultra high current ion implanter. Significant advantages in beam current and process throughput are demonstrated by using the Arsenic dimer ion
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d308139e6fd0e5887740e38187226868
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1257954
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1257954
Publikováno v:
Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on.
The use of dimer As2+ or P2+ ions at ultra-low energies can lead to substantial throughput advantages compared with the use of monomer As+ or P+ ions. Here we investigate the differences in the as-implanted damage from dimer and monomer ions using hi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f72fd3a7776a62153c6d1f517146bf56
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1257953
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1257953
Autor:
H. Matsushita, H. Rutishauser, B.S. Freer, H. Muto, A.S. Perel, Michael Graf, D.R. Tieger, M. Stone, M. Kabasawa
Publikováno v:
Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on.
Germanium is typically used in ultra-shallow junction formation as an amorphization implant to reduce channeling in subsequent low energy boron dopant implants. Several equipment and process considerations can be associated with germanium operation.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::679e72d772a1ad769d9911d3d0ab801b
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1258030
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1258030
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.