Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"B.P. Stothard"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 15:968-976
In this paper, the Curtice, Shoucair, Selmi, and Rodriguez nonlinear dc drain current thermal models for the GaAs MESFET device are compared to determine which best fulfills the nonlinear criteria. The comparison is performed using a variety of MESFE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::992ff6b44cba82dbe962020024c5cb61
https://doi.org/10.1109/43.511576
https://doi.org/10.1109/43.511576
Autor:
J. Rodriguez-Tellez, B.P. Stothard
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:1730-1735
A DC and temperature-nonlinear GaAs MESFET device model is presented. It offers improved accuracy over existing models by simulating the bias dependency of the device transconductance ( beta ) and pinch-off point (V/sub TO/) parameters. The effect of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28304bbc5131c5b721398260589ec49e
https://doi.org/10.1109/16.277327
https://doi.org/10.1109/16.277327
Autor:
J. Rodriguez-Tellez, B.P. Stothard
Publikováno v:
1993 IEEE International Symposium on Circuits and Systems.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c870ea9f9a9bd67bd198f064ac9ce764
https://doi.org/10.1109/iscas.1993.692844
https://doi.org/10.1109/iscas.1993.692844
Autor:
B.P. Stothard, J. Rodriguez-Tellez
Publikováno v:
ISCAS
A new DC nonlinear GaAs MESFET device model is presented. It offers improved accuracy over existing models by simulating the bias dependency of the device transconductance (/spl beta/) and pinch-off point (V/sub TO/) parameters. The effect of these b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a31023c7b97b5be44c4772845d35cc6
https://doi.org/10.1109/iscas.1993.393930
https://doi.org/10.1109/iscas.1993.393930
Autor:
J. Rodriguez Tellez, B.P. Stothard
Publikováno v:
23rd European Microwave Conference, 1993.
DC measurements at different temperatures on MESFET devices indicate that, as the drain current is reduced, the behaviour of the device becomes more susceptible to temperature effects. The data shows that the dependency of the pinch-off point on temp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f40b8a19adaec50ca106674c52d2a605
https://doi.org/10.1109/euma.1993.336714
https://doi.org/10.1109/euma.1993.336714
Publikováno v:
IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems. 143:129
Measurements are performed on a variety of GaAs MESFET devices to show that the observed differences between the static and pulsed current/voltage characteristics do not arise entirely from self-heating effects. The results show that a significant re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d116870b8a124e4dcc9423e1a389241
https://doi.org/10.1049/ip-cds:19960178
https://doi.org/10.1049/ip-cds:19960178
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.