Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"B.O. Woods"'
Publikováno v:
2007 International Semiconductor Device Research Symposium.
Analog and RF design building blocks for space applications require very accurate prediction of SiGe HBT device behavior in this extreme environment. The ability of two industry standard bipolar compact models to represent the SiGe HBT in an extreme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac1b2cfafc4431d5af72cafdcccec18d
https://doi.org/10.1109/isdrs.2007.4422239
https://doi.org/10.1109/isdrs.2007.4422239
Publikováno v:
ISCAS
We investigate, for the first time, the design and implementation of a variable gain amplifier (VGA) circuit suitable for cryogenic temperature applications. Temperature compensation is studied to allow for such a large temperature swing. The propose
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39da136d9d1f41364ace84774510c9e1
https://doi.org/10.1109/iscas.2007.378083
https://doi.org/10.1109/iscas.2007.378083
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
The process of integrating two types of AlGaAs-GaAs emitter-down HBTs (heterojunction bipolar transistors), one with isolated emitter and one with grounded emitter, on a common n/sup +/ substrate is described. The use of a selective p/sup -/ implante
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d864672172f7f619f99eba70095867f
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74305
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74305
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 10:508-510
A process that integrates isolated-emitter heterojunction bipolar transistors (HBTs) with common-emitter HBTs in the emitter-down epi structure on n/sup +/ substrates is discussed. Overgrowth of the epi onto a p/sup -/ implanted region results in bac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6158e5c0e4caffb8499647d0f66bc6ce
https://doi.org/10.1109/55.43119
https://doi.org/10.1109/55.43119
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.