Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"B.J. Machesney"'
Autor:
T.V. Rajeevakumar, B.J. Ginsberg, E.J. Sprogis, B.J. Machesney, Nicky Chau-Chun Lu, G.B. Bronner
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
A novel three-dimensional buried trench (BT) memory cell, suitable for DRAM (dynamic random access memories) of 64 Mb or beyond, has been demonstrated. It uses a novel self-aligned-epitaxy-over-trench (SEOT) technology which allows the fabrication of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e17e1938fa3e9122a55933f2a5a5f5fb
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32883
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32883
Autor:
Roy Edwin Scheuerlein, R.L. Mohler, E.J. Sprogis, Wendell P. Noble, B.J. Machesney, W.J. Craig, S. Dash, D.L. Critchlow, Nicky Chau-Chun Lu, P.E. Cottrell, L.M. Terman, R.M. Parent, Tak H. Ning
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 21:627-634
A (dynamic random-access memory) DRAM cell using a trench capacitor with a grounded substrate plate has been demonstrated, fabricated of functional fully decoded 64K arrays. The cell array is located inside the well and the trench capacitor extends f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc175072227ea20573ce4e170f83af53
https://doi.org/10.1109/jssc.1986.1052587
https://doi.org/10.1109/jssc.1986.1052587
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.