Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"B.H. Chin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L.K. Chu, B.H. Chin, W.C. Lee, L.T. Tung, J. Kwo, Minghwei Hong, Chong-Yi Lee, Y. J. Lee, T.D. Lin
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 311:2187-2190
Electrical properties and thermal stability have been studied in molecular beam epitaxy (MBE)-grown high-K dielectric Al 2 O 3 /HfO 2 on Ge substrate. An abrupt HfO 2 /Ge interface without any interfacial layer was revealed using high-resolution tran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88b23135464c03defdeed98cd2d583af
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.11.045
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.11.045
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Letters. 2:184-188
The formation of dark spot defects (DSDs) in InP InGaAsP aged light emitting diodes has been investigated by spatially resolved cathodoluminescence, transmission electron microscopy and Rutherford backscattering. It is shown that DSDs are caused by t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a349a956c4c257d3be720254987bc33
https://doi.org/10.1016/0167-577x(84)90020-x
https://doi.org/10.1016/0167-577x(84)90020-x
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 30:304-310
In this paper, the formation of dark spot defects (DSD's) in InP/InGaAsP LED's is studied by cathodoluminescence (CL) imaging, electron-beam-induced-current (EBIC) imaging, Auger electron spectroscopy (AES), and energy dispersive X-ray spectroscopy (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6bc60c82ac88610980eae439a81fe1d
https://doi.org/10.1109/t-ed.1983.21121
https://doi.org/10.1109/t-ed.1983.21121
Publikováno v:
Materials Letters. 1:81-84
In the liquid-phase epitaxy on indium phosphide, the substrate, prior to the first epi-growth, is usually melted back with indium in order to remove the thermally-degraded surface and to ensure uniform and consistent wetting. The conventional meltbac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::76578cb11d8872067e95ab3d257d829e
https://doi.org/10.1016/0167-577x(82)90014-3
https://doi.org/10.1016/0167-577x(82)90014-3
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 67:1-7
Liquid phase epitaxy (LPE) has been used to grow planar buried In 1- x Ga x As y P 1- y /InP double heterostructures. It is show n that poor wipe-off after melt-back and subsequent epitaxial growth over the mesa results in melt-carry-over on the surf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aff9de11f2c7882265e86ec85406845b
https://doi.org/10.1016/0022-0248(84)90124-6
https://doi.org/10.1016/0022-0248(84)90124-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.