Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"B.C. Hsu"'
Autor:
Y.L. Yang, P.C. Tsao, C.W. Lin, Ross Lee, Olivia Ni, T.T. Chen, Y.J. Ting, C.T. Lai, Jason Yeh, Arnold Yang, Wayne Huang, Peng Chen, Charly Tsai, Ryan Yang, Y.S. Huang, B.C. Hsu, M.Z. Lee, T.H. Lee, Michael Huang, Coming Chen, Liham Chu, H.W. Kao, N.S. Tsai
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Autor:
B.F. Wu, C.O. Chui, Matt Yeh, Shun‐yu Wang, K.C. Kwong, R. Chen, Jen-Hsiang Lu, Sy Wu, C.H. Chang, Kenlin Huang, Vincent S. Chang, Kuei-Shun Chen, W.H. Wu, C.H. Chen, J.Y. Yeh, B.C. Hsu
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology.
For the first time, multiple-Vt (multi-Vt) device options with Vt range> 250 mV are achieved in standard cells at dimensions beyond 7nm technology node. To overcome the common scaling challenges of potential device options such as FinFET and gate all
Autor:
T. Miyashita, H.-H. Hsu, C.-A. Lu, Shien-Yang Wu, K.C. Kwong, P.-N. Chen, C.-Y. Chiang, Chiu-Lien Lee, B.C. Hsu, Ching-Wei Tsai, C.-Y. Lin, Huanlong Liu, H.-L. Yang, J.-C. Chiang, P.-H. Wu, Y. J. Lin, Yu-Sheng Wu
Publikováno v:
2016 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA).
A comprehensive analysis of fin profile effect on bulk FinFET device characteristics is described in this paper. Optimal fin profile and anti-punch-through (APT) implant profile are important to DC performance and multiple-Vt offering capability, whi
Autor:
T. Miyashita, P.-N. Chen, M.C. Chiang, Ching-Wei Tsai, Lin Chih-Yung, B.C. Hsu, Sy Wu, P.-H. Wu, K.C. Kwong
Publikováno v:
2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology).
High voltage I/O FinFET device optimization for a 16nm system-on-a-chip (SoC) technology is presented. After careful optimization through high electric field (E-field) mitigation by junction engineering, I/O FinFET devices with leakage current reduct
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.Y. Wu, R. Liu, B.N. Guo, G.P. Lin, M. Chan, S. Lu, I.M. Lai, Benjamin Colombeau, C.L. Yang, H.Y. Wang, T. Wu, B.C. Hsu, C.I. Li
Publikováno v:
Electrochemical and Solid-State Letters. 14:H467
SiGe/Si hetero structure has been examined using high resolution x-ray diffraction for strain and cross sectional transmission electron microscopy for implant induced defects with various p-type source drain implant conditions at room or cryogenic te
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.