Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"B.C. Hsu"'
Autor:
Y.L. Yang, P.C. Tsao, C.W. Lin, Ross Lee, Olivia Ni, T.T. Chen, Y.J. Ting, C.T. Lai, Jason Yeh, Arnold Yang, Wayne Huang, Peng Chen, Charly Tsai, Ryan Yang, Y.S. Huang, B.C. Hsu, M.Z. Lee, T.H. Lee, Michael Huang, Coming Chen, Liham Chu, H.W. Kao, N.S. Tsai
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8513ca388886d6397134b90a16ce784
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118207
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118207
Autor:
B.F. Wu, C.O. Chui, Matt Yeh, Shun‐yu Wang, K.C. Kwong, R. Chen, Jen-Hsiang Lu, Sy Wu, C.H. Chang, Kenlin Huang, Vincent S. Chang, Kuei-Shun Chen, W.H. Wu, C.H. Chen, J.Y. Yeh, B.C. Hsu
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology.
For the first time, multiple-Vt (multi-Vt) device options with Vt range> 250 mV are achieved in standard cells at dimensions beyond 7nm technology node. To overcome the common scaling challenges of potential device options such as FinFET and gate all
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e25aa62195df57503d8bf9f34d5c5c8f
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265050
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265050
Autor:
T. Miyashita, P.-N. Chen, M.C. Chiang, Ching-Wei Tsai, Lin Chih-Yung, B.C. Hsu, Sy Wu, P.-H. Wu, K.C. Kwong
Publikováno v:
2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology).
High voltage I/O FinFET device optimization for a 16nm system-on-a-chip (SoC) technology is presented. After careful optimization through high electric field (E-field) mitigation by junction engineering, I/O FinFET devices with leakage current reduct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9460590e28e3bb50155160bc6e0889ee
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223658
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223658
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.Y. Wu, R. Liu, B.N. Guo, G.P. Lin, M. Chan, S. Lu, I.M. Lai, Benjamin Colombeau, C.L. Yang, H.Y. Wang, T. Wu, B.C. Hsu, C.I. Li
Publikováno v:
Electrochemical and Solid-State Letters. 14:H467
SiGe/Si hetero structure has been examined using high resolution x-ray diffraction for strain and cross sectional transmission electron microscopy for implant induced defects with various p-type source drain implant conditions at room or cryogenic te
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65309dca3f942a093ca2a3d4b4b8b7d8
https://doi.org/10.1149/2.023111esl
https://doi.org/10.1149/2.023111esl
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.