Zobrazeno 1 - 10
of 281
pro vyhledávání: '"B.-Y. Nguyen"'
Autor:
W. Schwarzenbach, B.-Y. Nguyen, L. Ecarnot, S. Loubriat, M. Detard, E. Cela, C. Bertrand-Giuliani, G. Chabanne, C. Maddalon, N. Daval, C. Maleville
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 863-868 (2019)
Beyond 65FD-SOI, 28FD-SOI, and 22FD-SOI production granted technologies, SmartCut™ development supports both advanced FD-SOI and low temperature SOI roadmaps. Ultrathin SOI and BOX materials developments are reported, including 4-nm SOI and 15-nm B
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/edbba5752ee645b7974f97152c8b83f8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Vandooren, N. Parihar, J. Franco, R. Loo, H. Arimura, R. Rodriguez, F. Sebaai, S. Iacovo, K. Vandersmissen, W. Li, G. Mannaert, D. Radisic, E. Rosseel, A. Hikavyy, A. Jourdain, O. Mourey, G. Gaudin, S. Reboh, L. Le Van-Jodin, G. Besnard, C. Roda Neve, B-Y. Nguyen, I. Radu, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Vandooren, J. Franco, Z. Wu, B. Parvais, G. Besnard, W. Schwarzenbach, I. Radu, B.-Y. Nguyen, N. Collaert
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
Iuliana Radu, Anne Vandooren, T. Zheng, W. Li, Fumihiro Inoue, Niamh Waldron, J. Franco, Andriy Hikavyy, Liesbeth Witters, Nouredine Rassoul, Lieve Teugels, W. Vanherle, E. Vecchio, Nadine Collaert, G. Verbinnen, Bertrand Parvais, V. De Heyn, G. Besnard, F. M. Bufler, B.-Y. Nguyen, Lan Peng, Boon Teik Chan, Dan Mocuta, W. Schwarzenbach, Katia Devriendt, Romain Ritzenthaler, G. Jamieson, Erik Rosseel, Geert Hellings, G. Gaudin, V. Desphande, Nancy Heylen, Amey Mahadev Walke, Z. Wu
3D sequential integration requires top MOSFETs processed at low thermal budget, which can impair the device reliability. In this work, top junction-less device are fabricated with a maximum processing temperature of 525°C. The devices feature high k
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0ee461fd85f0874b4d632f9267f8b128
https://doi.org/10.1109/vlsit.2018.8510705
https://doi.org/10.1109/vlsit.2018.8510705