Zobrazeno 1 - 10
of 204
pro vyhledávání: '"B.-G. Min"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chris Hobbs, Richard P. Hill, Harlan Stamper, B.-G. Min, Raj Jammy, Daniel Franca, Martin Rodgers, Paul Kirsch, Steve Gausepohl, Saikumar Vivekanand, K.-W. Ang, Injo Ok
Publikováno v:
ECS Transactions. 50:669-672
High mobility materials (such as SiGe, Ge and III-V) are attractive replacements for the conventional Si channel material in future CMOS technology nodes (
Autor:
Junya Kajiwara, Woo Sik Yoo, Toshikazu Ishigaki, B.-G. Min, Kitaek Kang, P. Y. Hung, Takeshi Ueda, K.-W. Ang
Publikováno v:
ECS Transactions. 45:23-29
Pseudomorphically grown Si:C thin films on Si(100), with a carbon content ranging from 0.9 to 1.5 at% and thickness from 45 to 84 nm, were prepared by ultrahigh vacuum (UHV) and low pressure (LP) chemical vapor deposition (CVD) and characterized by v
Autor:
Domingo Ferrer, B.-G. Min, P. Y. Hung, Gennadi Bersuker, Se-Hoon Lee, Prashant Majhi, J. Oh, Wei-Yip Loh, Jiacheng Huang, R. Harris, Hsing-Huang Tseng, Sanjay K. Banerjee, Paul Kirsch, B. Sassman, R. Jammy
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 58:2917-2923
Preserving the integrity (e.g., Ge concentration, strain, and lattice perfection) of pseudomorphically grown silicon germanium (SiGe) heterostructure channels on Si substrates is one of the most critical factors in obtaining optimal pMOSFET performan
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 28:1298-1303
The effects of oxidation on strain relaxation in Si1−xGex layers on silicon substrates were investigated. Si1−xGex layers, with different Ge fractions (x=0.15 and 0.3), were grown on chemically cleaned silicon substrates by an ultrahigh vacuum ch