Zobrazeno 1 - 10
of 224
pro vyhledávání: '"B. Sklenard"'
Autor:
N. Salles, L. Martin-Samos, S. de Gironcoli, L. Giacomazzi, M. Valant, A. Hemeryck, P. Blaise, B. Sklenard, N. Richard
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 11, Iss 1, Pp 1-7 (2020)
Ionic transport in solids is important for applications including rapid access memories and ion-based batteries. Here, the authors introduce polarization work contributions from the migrating ion and its environment, demonstrating the representative
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d06e4b86a7584e039635570fd8ec4b38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Mota Frutuoso, X. Garros, P. Batude, L. Brunet, J. Lacord, B. Sklenard, V. Lapras, C. Fenouillet-Beranger, M. Ribotta, A. Magalhaes-Lucas, J. Kanyandekwe, R. Kies, G. Romano, E. Catapano, M. Casse, J. Lugo-Alvarez, P. Ferrari, F. Gaillard
Publikováno v:
IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits 2022)
IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits 2022), Jun 2022, Honolulu (HI), United States. ⟨10.1109/VLSITechnologyandCir46769.2022.9830504⟩
IEEELink
IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits 2022), Jun 2022, Honolulu (HI), United States. ⟨10.1109/VLSITechnologyandCir46769.2022.9830504⟩
IEEELink
International audience; We present, for the first time, a new CV based technique to extract the Active Dopant Profile under the spacer in thin film FDSOI devices (CV-AJP). The methodology is successfully applied to FDSOI devices fabricated at 500°C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9eef2750dbb3aeee813a581581b63000
https://hal.science/hal-04069091
https://hal.science/hal-04069091
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. Navarro, C. Sabbione, V. Meli, L. E. Nistor, M. Frei, J. Garrione, M. Tessaire, F. Fillot, N. Bernier, E. Nolot, B. Sklenard, J. Li, S. Martin, N. Castellani, G. Bourgeois, M. C. Cyrille, F. Andrieu
Publikováno v:
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3f210bc05591e75b7ee6cd0bc1c042e
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779285
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779285
Autor:
P. Batude, O. Billoint, S. Thuries, P. Malinge, C. Fenouillet-Beranger, A. Peizerat, G. Sicard, P. Vivet, S. Reboh, C. Cavalcante, L. Brunet, M. Ribotta, L. Brevard, X. Garros, T. Mota Frutuoso, B. Sklenard, J. Lacord, J. Kanyandekwe, S. Kerdiles, P. Sideris, C. Theodorou, V. Lapras, M. Mouhdach, G. Gaudin, G. Besnard, I. Radu, F. Ponthenier, A. Farcy, E. Jesse, F. Guyader, T. Matheret, P. Brunet, F. Milesi, L. Le Van-Jodin, A. Sarrazin, B. Perrin, C. Moulin, S. Maitrejean, M. Alepidis, I. Ionica, S. Cristoloveanu, F. Gaillard, M. Vinet, F. Andrieu, J. Arcamone, E. Ollier
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a954addef7e27e3dfae349b36fd38937
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720671
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720671
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.