Zobrazeno 1 - 10 of 31 pro vyhledávání: '"B. S. Soto Cruz"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Post-process methodology on-a CMOS chip to release an extracellular microelectrode array
Autor: B. S. Soto-Cruz, F. Lopez-Huerta
Publikováno v: 2012 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS).
In the CMOS MEMS design the problems are centered on the sensor integration on-a-chip and its release post-process. The extracellular planar microelectrodes are straight form integrated due the layers CMOS possibilities, however the releasement of th
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8bc8473b2c19c5913cac1b58397fa120
https://doi.org/10.1109/iccdcs.2012.6188950
Zobrazit plný text záznamu
3
Sensor electroquímico de pH integrado con procesos CMOS estándar
Autor: R. M. Woo García, F. López Huerta, J. J. Estrada López, B. S. Soto Cruz
Publikováno v: Universidad Autónoma de Yucatán
UAY
Redalyc-UAY
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
BUAP
Redalyc-BUAP
En este trabajo se presenta el diseño e integración en un mismo substrato de silicio, un sensor electroquímico de pH y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar metal-óxido semiconductor complementario (CMOS) de 0.6 ¿
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0890f180a25f04eb68ad33861598f63c
http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46719773007
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Verilog-A implementation of a double-gate junctionless compact model for DC circuit simulations.
Autor: J Alvarado, P Flores, S Romero, F Ávila-Herrera, V González, B S Soto-Cruz, A Cerdeira
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; Jul2016, Vol. 31 Issue 7, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
High-Pressure Sensor With High Sensitivity and High Accuracy for Full Ocean Depth Measurements.
Autor: Li, Ting, Shang, Haiping, Wang, Bing, Mao, Chaomin, Wang, Weibing
Publikováno v: IEEE Sensors Journal; Mar2022, Vol. 22 Issue 5, p3994-4003, 10p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Compact DC and Quasi-Static Capacitances Modeling of a-Si:H TFTs, Including Parasitic Capacitances.
Autor: Lime, Francois, Cerdeira, Antonio, Estrada, Magali, Pashkovich, Andrei, Iniguez, Benjamin
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2021, Vol. 68 Issue 7, p3384-3389, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Effect of high conductivity amorphous InGaZnO active layer on the field effect mobility improvement of thin film transistors.
Autor: Thanh Thuy Trinh, Kyungsoo Jang, Vinh Ai Dao, Junsin Yi
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 21, p214504-1-214504-5, 5p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje