Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"B. Raeissi"'
Publikováno v:
WHISPERS
Coatings are critical to maintaining the integrity of industrial and offshore equipment, but defects reduce their effectiveness. Pinholes, locations on a coated surface which remain uncoated, are one kind of defect. They difficult to detect because o
Publikováno v:
physica status solidi (b). 251:2197-2200
In this work, diffusion and dissociation mechanisms related to the formation and evolution of vacancy–oxygen complexes have been studied. Czochralski-grown silicon samples have been irradiated at room temperature using fast electrons resulting in t
Autor:
B. Raeissi, Naveengoud Ganagona, Edouard Monakhov, Augustinas Galeckas, Bengt Gunnar Svensson
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :224-227
Photoluminescence (PL) and deep level transient spectroscopy (DLTS) have been used to investigate carbon related defects in p–type Cz–Si induced by proton irradiation. The interstitial carbon–interstitial oxygen (CiOi) level in DLTS and the cor
Publikováno v:
physica status solidi c. 9:2009-2012
P-type Czochralski grown (Cz) silicon samples have been irradiated at room temperature (RT), 350, and 450 °C with 1.8 MeV protons to doses of 2×1012and 1×1013 cm-2 and analyzed by deep level transient spectroscopy (DLTS). The generation rate of in
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 118:135703
The diffusion and dissociation mechanisms governing the evolution of oxygen and vacancy-oxygen defects in Czochralski-grown Si samples have been studied. The samples were irradiated at (i) room temperature or (ii) elevated temperature (350 °C) by Me
Autor:
M. Kaniewska, O. Engström, A. Karmous, O. Kirfel, E. Kasper, B. Raeissi, J. Piscator, G. Zaremba, M. Kaczmarczyk, M. Wzorek, A. Czerwinski, B. Surma, A. Wnuk, Jisoon Ihm, Hyeonsik Cheong
Publikováno v:
BASE-Bielefeld Academic Search Engine
Ge quantum well (QW) structures were prepared through Si-capping of 3.3 ML of Ge by MBE on p +-(001) Si substrates at a growth temperature of 550°C. The spatial variation of hole eigen energies in the QW were revealed by DLTS. Depending on the posit
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 24:435801
The formation of the divacancy-oxygen centre (V(2)O) in p-type Czochralski-grown silicon has been investigated by means of deep level transient spectroscopy (DLTS). The donor state (+/0) of V(2)O is located at ~E(v) + 0.23 eV (E(v) denotes the valenc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.