Zobrazeno 1 - 10
of 95
pro vyhledávání: '"B. Portier"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Cancer Research. 78:P2-06
Research objective Previously, we reported the negative correlation between pathological complete response (pCR) and HER2 positive breast cancer exhibiting amplified HER2 gene tumor cells without HER2 protein overexpression (HER2 epigenetic intratumo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Kossai, D. Smith, R.S.P. Huang, Mark M. Kockx, I. Menzl, Fernando Lopez-Rios, C. Faure, Reinhard Büttner, C. Le, Alessandro Marchetti, Keith M. Kerr, Giulio Rossi, I. Marondel, G. Pate, Andrew G. Nicholson, Patrick Pauwels, V. Rüsseler, Frédérique Penault-Llorca, Erik Thunnissen, Buge Oz, Lukas Bubendorf, A.E. Hanlon Newell, B. Portier, W. Liu
Publikováno v:
Journal of Thoracic Oncology. 13:S452-S453
Autor:
K. Jaworowicz, R. Haidar, Francois Lelarge, Stéphane Guilet, Fabrice Pardo, B. Portier, Christophe Dupuis, Michaël Verdun, J.-L. Pelouard, J. Jaeck
Publikováno v:
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS).
We propose a new guide mode resonant photodiode demonstrating better sensitivity for the infrared imaging. This comprises a backside dielectric sub-wavelength periodic structure and an absorbing region as thin as 90 nm. In this study, electro-optical
Autor:
Emmanuel Rosencher, J. Jaeck, Fabrice Pardo, B. Portier, Jean-Luc Pelouard, Nicolas Péré-Laperne, Riad Haïdar, N. Bardou, E. Steveler, Christophe Dupuis, Aristide Lemaître, Benjamin Vest
Publikováno v:
SPIE Photonics West 2015
SPIE Photonics West 2015, Feb 2015, SAN FRANCISCO, United States
Scopus-Elsevier
HAL
SPIE Photonics West 2015, Feb 2015, SAN FRANCISCO, United States
Scopus-Elsevier
HAL
International audience; Degenerate two-photon absorption (TPA) is investigated in a 186 nm thick gallium arsenide (GaAs) p-in diode embedded in a resonant metallic nanostructure. The full device consists in the GaAs layer, a gold subwavelength gratin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f51817ef48db6a2815ab2b91efa1b33d
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01121728/file/DOTA15004.1423498142.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01121728/file/DOTA15004.1423498142.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.