Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"B. Pfefferling"'
Autor:
V. B. Naik, K. Yamane, J. Kwon, J.H. Lim, N. Balasankaran, N.L. Chung, L.Y. Hau, R. Chao, C. Chiang, Y. Huang, L. Pu, L. Ma, C. Meng, Y. Otani, L. Zhang, S.H. Jang, T. Ling, J.W. Ting, H. Yoon, J. Mueller, B. Pfefferling, O. Kallensee, T. Merbeth, C.S. Seet, J. Wong, Y.S. You, S. Soss, T.H. Chan, S.Y. Siah
Publikováno v:
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26a54043a2c003248ad9e2b67e82b298
https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798086
https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798086
Autor:
H. Yoon, Vinayak Bharat Naik, J. Kwon, K. Yamane, L. Pu, J. H. Lim, S. T. Woo, O. Kallensee, J. Hwang, Y. S. You, S. Ong, Jeff J. Xu, L. Zhang, Tae Young Lee, S. H. Jang, S. K L. C. Goh, F. Tan, Eng Huat Toh, D. Zeng, N. Balasankaran, Soh Yun Siah, Hemant Dixit, T. H. Chan, N. L. Chung, R. Low, G. Congedo, R. Chao, Y. Otani, Johannes Mueller, C.G. Lee, T. Merbeth, J. W. Ting, L. Y. Hau, K. W. Gan, Y. Huang, A. Vogel, E. Quek, C. Chiang, Behtash Behin-Aein, W. P. Neo, T. Ling, V. Kriegerstein, Chim Seng Seet, Jen Shuang Wong, B. Pfefferling
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We demonstrate highly reliable and mass-production ready 22nm FD-SOI 40Mb embedded-MRAM for industrial-grade (-40~125°C) applications. This technology having 5x solder reflows compatibility stack has passed JEDEC standard qualification (ECC-OFF) wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2297be3b6e345d353ce3138acd58f0cd
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371935
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371935
Autor:
V. B. Naik, J. H. Lim, T. Y. Lee, W. P. Neo, H. Dixit, S. K, L. C. Goh, T. Ling, J. Hwang, D. Zeng, J. W. Ting, K. Lee, E. H. Toh, L. Zhang, R. Low, N. Balasankaran, L. Y. Zhang, K. W. Gan, L. Y. Hau, J. Mueller, B. Pfefferling, O. Kallensee, K. Yamane, S. L. Tan, C. S. Seet, Y. S. You, S. T. Woo, E. Quek, S. Y. Siah, J. Pellerin, R. Chao, J. Kwon, N. Thiyagarajah, N. L. Chung, S. H. Jang, B. Behin-Aein
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We demonstrate the manufacturable 22nm FD-SOI 40Mb embedded MRAM (eMRAM), by achieving product functionality and reliability at package level across industrial-grade operating temperature range (−40 to 125 °C) with ECC-off mode. The magnetic tunne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97756aa1076d3633495ae47aedb97a18
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993454
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993454
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.