Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"B. Pfaffel"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 25:48-54
A 2 K*8-b, ECL 100 K compatible BiCMOS SRAM with 3.8-ns (-4.5 V, 60 degrees ) address access time is described. The precisely controlled bit-line voltage swing (60 mV), a current sensing method, and optimized ECL decoding circuits permit a reliable a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c7a5eeaafceb9210a271da62cb55ec6
https://doi.org/10.1109/4.50283
https://doi.org/10.1109/4.50283
Publikováno v:
Proceedings of the Bipolar Circuits and Technology Meeting.
A modular 1.2- mu m BiCMOS process which can be used to realize either low-cost or high-performance bipolar devices within a CMOS environment is discussed. process complexity, electrical data, and circuit performance are compared for different circui
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a27c5b1a7639549bc678837302cb8e9b
https://doi.org/10.1109/bipol.1989.69486
https://doi.org/10.1109/bipol.1989.69486
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 49:C4-97
A high speed BICMOS process with a polysilicon bipolar transistor is presented. Using this technology the well optimization is outlined. Different approaches to construct the well are compared to Improve the high current behaviour of the bipolar tran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d985b48c2dce38cae2eab5b0bc11cc56
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988420
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988420
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 24:1307-1311
A merged CMOS/bipolar current switch logic (MCSL) is presented. CMOS/ECL level conversion and logical operation are realized simultaneously. This circuit technique allows a supply voltage reduction to 3.3 V. A carry delay time of 150 ps/bit for a 4-b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5105e8af3a09cf0e390ed0af26196278
https://doi.org/10.1109/jssc.1989.572603
https://doi.org/10.1109/jssc.1989.572603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.