Zobrazeno 1 - 10
of 326
pro vyhledávání: '"B. Pécz"'
Autor:
S.E. Panasci, E. Schilirò, A. Koos, M. Nemeth, M. Cannas, S. Agnello, F. Roccaforte, B. Pécz, F. Giannazzo
In this work, the formation of micrometer-size crystalline monolayer (1L) MoS2 flakes with triangular shape and a central multilayer core is obtained by the sulfurization at 800 °C of pre-deposited ultrathin MoOx films (1.2–1.8 nm) on c-sapphire s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6b22960350a7e44b4aa3a214c464d948
https://hdl.handle.net/10447/589292
https://hdl.handle.net/10447/589292
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. Ioannou-Sougleridis, S. Alafakis, B. Pécz, D. Velessiotis, N. Z. Vouroutzis, S. Ladas, M. Barozzi, G. Pepponi, D. Skarlatos
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 11:045006
In this work, the combined effect of negative tone photolithography and post-metallization annealing (PMA) on the electrical behavior of Al/Al2O3/p-Ge MOS structures are investigated. During photoresist development, the exposed upper part of the Al2O
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::710d1e739c4d58f80582a58644732d3a
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac62f2
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac62f2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.