Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"B. Orfao"'
Autor:
B. Orfao, G. Di Gioia, B. G. Vasallo, S. Pérez, J. Mateos, Y. Roelens, E. Frayssinet, Y. Cordier, M. Zaknoune, T. González
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (4), pp.044502. ⟨10.1063/5.0100426⟩
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (4), pp.044502. ⟨10.1063/5.0100426⟩
International audience; A model to predict the ideal reverse leakage currents in Schottky barrier diodes, namely, thermionic emission and tunneling components, has been developed and tested by means of current–voltage–temperature measurements in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a9ba3e865820ad10d8874dfeb5116231
https://hal.science/hal-03741441
https://hal.science/hal-03741441
Autor:
J. Mateos, B. Orfao, M. Samnouni, G.Di Gioia, Diego Moro-Melgar, M. Zaknoune, Beatriz G. Vasallo, Tomas Gonzalez, Susana Perez
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
instname
2021 13th Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
2021 13th Spanish Conference on Electron Devices (CDE), Jun 2021, Sevilla, Spain. pp.94-97, ⟨10.1109/CDE52135.2021.9455727⟩
instname
2021 13th Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
2021 13th Spanish Conference on Electron Devices (CDE), Jun 2021, Sevilla, Spain. pp.94-97, ⟨10.1109/CDE52135.2021.9455727⟩
[EN]Schottky barrier diodes (SBDs) with realistic geometries have been studied by means of a 2-D ensemble Monte Carlo simulator. The non-linearity of the Capacitance-Voltage (C-V) characteristic is the most important parameter for optimizing SBDs as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::be3d7eac3ed2e9983803ae26266dbcbe
http://hdl.handle.net/10366/147145
http://hdl.handle.net/10366/147145
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
GREDOS: Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad de Salamanca (USAL)
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
GREDOS: Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad de Salamanca (USAL)
[EN]In this article, by means of a 2-D ensemble Monte Carlo simulator, the Schottky barrier diodes (SBDs) with realistic geometries based on GaAs and GaN are studied as promising devices for increasing the high-frequency performance- and power-handli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::43b45c69e12fe180eabd398be9a996ff
https://hdl.handle.net/10366/144052
https://hdl.handle.net/10366/144052
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.