Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"B. O. Fimland"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V T, Fauske, M B, Erlbeck, J, Huh, D C, Kim, A M, Munshi, D L, Dheeraj, H, Weman, B O, Fimland, A T J, Van Helvoort
Publikováno v:
Journal of microscopy. 262(2)
For the development of electronic nanoscale structures, feedback on its electronic properties is crucial, but challenging. Here, we present a comparison of various in situ methods for electronically probing single, p-doped GaAs nanowires inside a sca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::3dabe500ef4518bc59c8e8f99fe554db
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26501240
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26501240
Publikováno v:
Physical Review B. 61:1681-1684
We have investigated the growth of thin indium layers on As- and Ga-terminated GaAs(001) surfaces by reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), low energy electron diffraction (LEED), and auger electron spectroscopy. Room temperature deposition of in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c9ec0edbf08dc8f4a8d3c58859514516
https://doi.org/10.1103/physrevb.61.1681
https://doi.org/10.1103/physrevb.61.1681
Autor:
W. Richter, Norbert Esser, Anatoli I. Shkrebtii, R. Del Sole, B. O. Fimland, Alexander Kley, Wolf Gero Schmidt, Friedhelm Bechstedt
Publikováno v:
Physical Review Letters
The reflectance anisotropy has been calculated by microscopic tight-binding theory for various configurations of the As-rich GaAs(100) cs4 3 4d and s2 3 4d reconstructions, based on precise atomic coordinates from ab initio total-energy minimization.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1735714b5936f533a0f84b6006357027
https://doi.org/10.1103/physrevlett.81.721
https://doi.org/10.1103/physrevlett.81.721