Zobrazeno 1 - 10
of 484
pro vyhledávání: '"B. Mohamad"'
Autor:
P. Fernandes Paes Pinto Rocha, L. Vauche, B. Mohamad, W. Vandendaele, E. Martinez, M. Veillerot, T. Spelta, N. Rochat, R. Gwoziecki, B. Salem, V. Sousa
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 4, Iss , Pp 100033- (2023)
MOS High Electron Mobility Transistors (MOS-HEMTs) may suffer from VTH instability and hysteresis reducing device performances. Post-Deposition Anneal (PDA) of the Atomic-Layer Deposited (ALD) dielectric has the potential to increase MOS-HEMT perform
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/34ea3db5a4944db2be5e957ce4f3dcfc
Publikováno v:
Acta Crystallographica Section E: Crystallographic Communications, Vol 71, Iss 7, Pp 744-747 (2015)
The title compounds, C13H8ClN3O6, (I), and C13H9N3O6, (II), differ in the orientation of the two aromatic rings. In (I), they are essentially coplanar, making a dihedral angle of 8.2 (1)°, while in (II), they are inclined to one another by 76.2 (1)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8306bb343e16412088d319344d703e51
Autor:
Mumtaz, Wajid, Saad, Mohamad Naufal b Mohamad, Kamel, Nidal, Ali, Syed Saad Azhar, Malik, Aamir Saeed
Publikováno v:
In Artificial Intelligence In Medicine January 2018 84:79-89
Autor:
S. A. Iynoon Jariya, N. Manivannan, B. Mohamad Ali, T. S. N. Sankara Narayanan, K. Ravichandran
Publikováno v:
New Journal of Chemistry. 47:5843-5862
The present study reports the development of multi-functional coatings on titanium for orthopaedic implant applications.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5073e4c91eb0933ca2faf72bf00f80b1
https://doi.org/10.1039/d2nj04485d
https://doi.org/10.1039/d2nj04485d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Procedia - Social and Behavioral Sciences 31 October 2016 234:452-460
Autor:
B. Mohamad, C. Le Royer, F. Rigaud-Minet, C. Piotrowicz, P. Fernandes Paes Pinto Rocha, C. Leurquin, W. Vandendaele, R. Escoffier, J. Buckley, S. Bécu, J. Biscarrat, R. Gwoziecki
Publikováno v:
2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0aea8b282ae0079c3e23222bad6d6783
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102971
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102971
Autor:
W. Vandendaele, C. Leurquin, R. Lavieville, M.A Jaud, A.G. Viey, R. Gwoziecki, B. Mohamad, E. Nowak, A. Constant, F. Iucolano
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32876b15e6b7b54bc7fb476a5dfdbbf1
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118180
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118180
Autor:
C. Leurquin, W. Vandendaele, R. Gwoziecki, B. Mohamad, G. Despesse, F. Iucolano, R. Modica, A. Constant
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5d5ee9ba7b7a007d3191f390de4e709
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117813
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117813
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.