Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"B. Magyari-Kope"'
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Autor:
B. Magyari-Kope, Jeff Wu
Publikováno v:
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD).
Atomistic simulations are rapidly becoming critical building blocks for predictive TCAD, and are increasingly utilized in the expanding coverage of applications way beyond the original TCAD scope. This paper aims to give an overview on some of the ke
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moon Young Yang, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi, Katsumasa Kamiya, Masaaki Niwa, B. Magyari Kope
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.