Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"B. Karunamurthy"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Tribology International. 43:2251-2257
Test samples from three silicon nitride materials used for potential rolling element bearing applications were experimentally studied at different conditions to understand their mechanisms of cavitation erosion. High and low powered ultrasonic vibrat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::47088f57cc7cee6f8d26effe2a869cf1
https://doi.org/10.1016/j.triboint.2010.06.012
https://doi.org/10.1016/j.triboint.2010.06.012
Autor:
Guillermo E. Morales-Espejel, Zulfiqar Ahmad Khan, Mark Hadfield, B. Karunamurthy, Charlotte Vieillard
Publikováno v:
Ceramics International. 36:1373-1381
Rolling contact and cavitation testing were integrated in a testing methodology to study their combined effect on silicon nitride rolling elements. This testing methodology is well suited to perform controlled cavitation and rolling contact experimen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f99cab1eb6baded3257a368bc3a58759
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2010.02.011
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2010.02.011
Publikováno v:
2014 15th International Conference on Thermal, Mechanical and Mulit-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE).
We propose an approach for the numerical modeling of a laser ablation (LA) process on silicon targets. The work is motivated by the increasing application of lasers in the separation of ultra-thin power semiconductors. In order to optimize the proces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4c807b13a9a49aaf5b9d4bea1ec0ed73
https://doi.org/10.1109/eurosime.2014.6813840
https://doi.org/10.1109/eurosime.2014.6813840
Publikováno v:
2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD).
As-deposited epitaxial thin III-nitride films grown on silicon substrates by vapor deposition often exhibit large intrinsic stress that can lead to film failure. The stress created in a III-nitride film is strictly related to its crystal structure ev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c41e399c5fc3f2e341d236d6df1731cf
https://doi.org/10.1109/sispad.2013.6650570
https://doi.org/10.1109/sispad.2013.6650570
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.