Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"B. J. Moon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Automotive Technology. 15:483-494
This paper describes a parallel model-based fault detection algorithm for an electronic parking brake (EPB) system, which consists of an electronic control unit with built-in current sensor and braking force sensor. For the EPB system to supply suffi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c8cf2653fe30e3118de94432591c26b
https://doi.org/10.1007/s12239-014-0051-5
https://doi.org/10.1007/s12239-014-0051-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Y. Kong, B. J. Moon
Publikováno v:
ChemInform. 24
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96e064fd20f6b2eb6ba7a6e3c3098e23
https://doi.org/10.1002/chin.199324294
https://doi.org/10.1002/chin.199324294
Publikováno v:
ChemInform. 27
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96afc2a9f6807c5c9a589d42fa33dfd7
https://doi.org/10.1002/chin.199630285
https://doi.org/10.1002/chin.199630285
A new technique to determine the average low-field electron mobility in MESFET using C-V measurement
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:1982-1986
A method to determine the average low-field mobility using the number of electrons available for the conduction based on C-V measurement is proposed. This technique requires neither information of the doping profile in the channel, nor the exact valu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7216999294a1fe5f03f5fbbb3292aed
https://doi.org/10.1109/16.155868
https://doi.org/10.1109/16.155868
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:592-602
A semiempirical strong inversion current-voltage (I-V) model for submicrometer n-channel MOSFETs which is suitable for circuit simulation and rapid process characterization is proposed. The model is based on a more accurate velocity-field relationshi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::153728e1e135cf36dc62f8d99cb43061
https://doi.org/10.1109/16.75171
https://doi.org/10.1109/16.75171