Zobrazeno 1 - 10
of 422
pro vyhledávání: '"B. Iniguez"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 464-468 (2021)
The Analytical Full Capacitance Model (AFCM) for amorphous oxide semiconductors thin film transistors (AOSTFTs) is first validated, using a 19-stages Ring Oscillator (RO) fabricated and measured. The model was described in Verilog-A language to use i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6ed8c638eb434057bc8691b14827a39f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC).
In this paper we present high mobility thin film transistors, using hafnium oxide as dielectric and amorphous Hafnium-Indium-Zinc Oxide as semiconductor, both deposited by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. Devices operated wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a96abfcc254d649236faac4618c6f32a
https://doi.org/10.1109/laedc51812.2021.9437929
https://doi.org/10.1109/laedc51812.2021.9437929
Autor:
Xavier Mescot, Antonio Cerdeira, W. E. Muhea, Harold Cortes-Ordonez, Gerard Ghibaudo, B. Iniguez, Magali Estrada
Publikováno v:
2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC).
We target the device parameter analysis and drain current modelling for amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film transistors from 210 to 370K. We study and discuss the temperature behaviour of physical IGZO TFT parameters from low to high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::33483ba6a79bc97e4ad5bf2d83dfe15f
https://doi.org/10.1109/laedc49063.2020.9073141
https://doi.org/10.1109/laedc49063.2020.9073141
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roman Sergeevich Shkarlat, Michael Shur, V. Poyarkov, O. Kshensky, B. Iniguez, Valentin O. Turin, Gennady I. Zebrev
Publikováno v:
International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018.
We derived the equation for the drain current of a short-channel MOSFET with nonzero differential conductance in saturation regime describing its nonlinear dependence on “extrinsic” drain bias and accounting for the parasitic and contact series r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a1e422b2347a7ce92f87725870ed3ac2
https://doi.org/10.1117/12.2521880
https://doi.org/10.1117/12.2521880
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.