Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"B. I. Ryu"'
Autor:
D. C. KIM, S. SEO, D.-S. SUH, R. JUNG, C. W. LEE, J. K. SHIN, I. K. YOO, I. G. BAEK, H. J. KIM, E. K. YIM, S. O. PARK, H. S. KIM, U-IN CHUNG, J. T. MOON, B. I. RYU, J.-S. KIM, B. H. PARK
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics. 93:90-97
Experimental investigations on the resistive memory switching in sub-micron sized NiO memory cell are presented to elucidate the resistive memory switching mechanism. The voltage or current-biased I-V measurements show that the resistive switching tr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11c0ec52bbd58a1472a30acb26f17d36
https://doi.org/10.1080/10584580701756169
https://doi.org/10.1080/10584580701756169
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seung Hwan Lee, S. H. Jang, Dae-Won Ha, C. H. Cho, Jae Hyeon Kim, B.-I. Ryu, D. H. Han, Y. J. Choi, Tae-Woo Lee, G. Jin, W. T. Park, S. S. Lee, S. H. Kwon, S. Y. Kim, T. H. An, Won-Seong Lee, M. S. Kang, Y. G. Kim, Sungho Kim, Hyungtak Kim, M. S. Sim, J. W. Park, M. Y. Sim, M. M. Jeong, S. M. Jeon
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8642624273e11bdc5fd7108959c977c5
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.p-4-12
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.p-4-12
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bdcbe52cb352cd13f4c878608ddd062
https://doi.org/10.7567/ssdm.1997.a-6-5
https://doi.org/10.7567/ssdm.1997.a-6-5
Autor:
H. S. Kim, E. K. Yim, Myoung-Jae Lee, U-In Chung, I. K. Yoo, B. I. Ryu, J. E. Lee, D. C. Kim, I. G. Baek, S. E. Ahn, J. T. Moon, J. C. Park, S. O. Park, S. Seo, H. J. Kim
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 88:232106
For the development of resistive memory devices using NiO, improvements of several memory switching properties are required. In NiO memory cells with noble metal electrodes, broad dispersions of memory switching parameters are generally observed with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fccade48a6a78cf9cd5034fa3f265342
https://doi.org/10.1063/1.2210087
https://doi.org/10.1063/1.2210087
Autor:
Dongseok Suh, U-In Chung, D. C. Kim, B. I. Ryu, B.-H. Park, I. G. Baek, E. K. Yim, Seung-Eon Ahn, Sunae Seo, I. K. Yoo, Park Soon, Hyeok Kim, Hyun-Suk Kim, Myoung-Jae Lee, J. E. Lee, J. T. Moon
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 88:202102
Experimental results on the bistable resistive memory switching in submicron sized NiO memory cells are presented. By using a current-bias method, intermediate resistance states and anomalous resistance fluctuations between resistance states are obse
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42085a6db1d424c7054f28fb6fca8b6b
https://doi.org/10.1063/1.2204649
https://doi.org/10.1063/1.2204649
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.