Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"B. Hughlock"'
Autor:
D. DeSalvo, M. Baze, M. Dooley, B. Hughlock, B. Rasmussen, K. Gerst, A. Le, M. Yoo, D. Nardi, I. Ojalvo, K. Kohnen, E. Zayas, D. Sunderland, R.D. Jobe, B. Jeppson, J. Truong, D.L. Hansen, A. Kleinosowski, K. Amador, E.J. Miller, D. Wong
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 56:3542-3550
Utilizing an application specific integrated circuit (ASIC) with 140 different shift chains, and a wide variety of test modes, a design of experiments (DOE) approach was used to characterize a commercial 90 nm CMOS technology for its sensitivity to s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::935091bcd811e1141eb5966d1dabe6b4
https://doi.org/10.1109/tns.2009.2031972
https://doi.org/10.1109/tns.2009.2031972
Autor:
Jerry L. Wert, M.P. Baze, O.A. Amusan, R. Lacoe, Lloyd W. Massengill, K. Lilja, J. Tostenrude, M. Johnson, B. Hughlock
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 55:3295-3301
SEU data on 90 nm structures displays a strong dependence on incident angle. A right parallelepiped (RPP) approximation is clearly not applicable to the observed response. This paper presents the data, possible mechanisms, and implications for testin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f1ec6815801f3e58b5de89371f1252a
https://doi.org/10.1109/tns.2008.2009115
https://doi.org/10.1109/tns.2008.2009115
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 39:1642-1646
The ion-induced gate edge effect and excess charge collection effect present in GaAs MESFETs are not present in InP and GaAs HFETs. An SEU (single event upset) characterization study shows that these devices can provide an SEU rate which is lower tha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4b33a7ab0dfc537a75acd1d62bcabb5
https://doi.org/10.1109/23.211347
https://doi.org/10.1109/23.211347
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 38:1442-1449
An ion induced charge collection study, using an array of GaAs enhancement-mode MESFET geometries, has identified two primary excess charge collection effects, a fringe field effect and a gated channel effect. The introduction of a buried p-layer was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f9c702b3855d6e71c884a625562e313
https://doi.org/10.1109/23.124130
https://doi.org/10.1109/23.124130
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 38:1435-1441
Special test structures fabricated with three different CMOS processes were used to investigate the effect of elevated temperature on single-particle latchup. The latchup threshold was strongly affected by contact geometry, and its temperature depend
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32a8575ce16c0c22363ec384ed4a8a84
https://doi.org/10.1109/23.124129
https://doi.org/10.1109/23.124129
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.