Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"B. Hinschberger"'
Publikováno v:
2008 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
Copper (Cu) line shorts defects have a high potential of becoming yield killers for device manufacturing. As design rules shrink the importance of a process free of metal shorts becomes essential to increase FAB yield performance. One of the main cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c782f67b7d6fb49ce8317768d9657e49
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529007
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529007
Autor:
P.O. Sassoulas, Francois Wacquant, J. Todeschini, M. Woo, M. Charpin, Y. Laplanche, N. Revil, J.C. Oberlin, Roland Pantel, B. Hinschberger, O. Belmont, D. Neira, P. Stolk, Franck Arnaud, M. Broekaart, Frederic Boeuf, I. Guilmeau, D. Ceccarelli, Francois Leverd, N. Emonet, Damien Lenoble, Bertrand Borot, G. Imbert, N. Bicais, S. Delmedico, A. Sicard, Nicolas Planes, J. Farkas, Christophe Regnier, V. Vachellerie, J. Uginet, Chittoor Parthasarathy, E. Denis, V. DeJonghe, Pierre Morin, T. Devoivre, H. Brut, R. Palla, Laurent Pain, P. Vannier, F. Salvetti, A. Beverina, C. Perrot
Publikováno v:
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407).
This work highlights a 65 nm CMOS technology platform for low power and general-purpose applications. A 6-T SRAM cell size of 0.69 /spl mu/m/sup 2/ with a 45 nm gate length is demonstrated. Electrical data of functional SRAM bit-cell is presented at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f57f1b2bcd5199626774a2f09c78af07
https://doi.org/10.1109/vlsit.2003.1221088
https://doi.org/10.1109/vlsit.2003.1221088
Publikováno v:
Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop, 2003 IEEEI/SEMI.
As the microelectronic industry is simultaneously shrinking design rules to 0.13 /spl mu/m and below and integrating copper technology, new defectivity challenges appear. The requirements associated with these technology nodes include the efficient i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9188cfc901be1cc88f80fc2ebbce3c83
https://doi.org/10.1109/asmc.2003.1194496
https://doi.org/10.1109/asmc.2003.1194496
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.