Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"B. Danzfuss"'
Autor:
J. Kaspar, G. Wald, K. Weber, K. Wiesinger, W. Rogge, A. Komposch, M. Leicht, J. Riss, B. Danzfuss, K.H. Muehlbacher, H. Geiger, T. Neidhart, B. Simmnacher, A. Stefaner, H. Pairitsch, G. Schagerl, T. Gross, H. Gruber, H. Peri, N. Dyroff, K. Sorschag, T. Gaertner, B. Mayer, H. Domes, T. Rupp, W. Wiebauer, J. Gatterbauer, S. Steinacher, A. Henoeckl, E. Trieblnig
Publikováno v:
2004 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop (IEEE Cat. No.04CH37530).
Power processes are a challenge for 8-inch production especially in thermal processing. The temperatures exceed those used in DRAM and LOGIC by far and make a detailed knowledge of the critical process limits and maximum temperatures mandatory. We de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2553d86f5884ed0008c85f4b743094af
https://doi.org/10.1109/asmc.2004.1309529
https://doi.org/10.1109/asmc.2004.1309529
Publikováno v:
Materials Science and Engineering. 69:273-282
Oxide films (passive films) of 40–50 nm thickness were prepared by anodic polarization of hafnium and titanium electrodes up to 20 V. Multiple-energy ion implantation of palladium, iron and xenon was used in order to obtain modified films with cons
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5cab1e0233557af3edae958f3e579da9
https://doi.org/10.1016/0025-5416(85)90323-4
https://doi.org/10.1016/0025-5416(85)90323-4
Passive films of titanium (n-type semiconductor) and hafnium (insulator) were modified by ion implantation (impox) and cathodic deposition of gold (diodes). The modified electrodes were characterized by their repassivation behaviour, the electrode ca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e208806c0c5e34900a885d954f804e00
https://doi.org/10.1016/b978-0-444-42252-1.50012-6
https://doi.org/10.1016/b978-0-444-42252-1.50012-6
Passive films of hafnium and titanium electrodes were implanted with Xe+- and Pd+-ions. The capacity of the insulating Hf02-film increases due to an increase of the dielectric constant D, but the capacity remains independent of potential. The rate of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e53c51002e95e6445fc2ad9da561cadf
https://doi.org/10.1016/b978-0-444-42252-1.50080-1
https://doi.org/10.1016/b978-0-444-42252-1.50080-1
Autor:
B. DANZFUSS, U. STIMMING
Publikováno v:
Chemischer Informationsdienst. 15
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85414101008da4aa239d5b620f6b14d1
https://doi.org/10.1002/chin.198427019
https://doi.org/10.1002/chin.198427019
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.