Zobrazeno 1 - 10
of 317
pro vyhledávání: '"B. Damilano"'
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 9, Iss 5, Pp 055101-055101-5 (2019)
Tunnel junctions (TJs) are envisaged as potential solutions to improve the electrical injection efficiency of nitride emitters in the visible as well as in the UV range. Indeed TJs would solve the issues related to the poor contact with the top p typ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fa8cc88106df47b3a9b46dcc777e9c69
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Vennéguès, L. Largeau, V. Brändli, B. Damilano, K. Tavernier, R. Bernard, A. Courville, S. Rennesson, F. Semond, G. Feuillet, C. Cornet
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (16), pp.165102. ⟨10.1063/5.0111558⟩
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (16), pp.165102. ⟨10.1063/5.0111558⟩
International audience; In the first part of this paper, we present a model that explains and determines quantitatively the twists between nucleation islands in the case of a Volmer–Weber heteroepitaxial growth of tetrahedrally coordinated semicond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ee522b2db0e1ba69e624e8ca6f72f04e
https://hal.science/hal-03966716
https://hal.science/hal-03966716
Autor:
R. Aristegui, F. Chiaruttini, B. Jouault, P. Lefebvre, C. Brimont, T. Guillet, M. Vladimirova, S. Chenot, Y. Cordier, B. Damilano
Publikováno v:
Physical Review B. 106
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology. 34:245602
Nanoporous GaN layers were fabricated using selective area sublimation through a self-organized AlN nanomask in a molecular beam epitaxy reactor. The obtained pore morphology, density and size were measured using plan-view and cross-section scanning
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Damilano, S. Vézian, M. P. Chauvat, P. Ruterana, N. Amador-Mendez, S. Collin, M. Tchernycheva, P. Valvin, B. Gil
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (3), pp.035302. ⟨10.1063/5.0089892⟩
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (3), pp.035302. ⟨10.1063/5.0089892⟩
InGaN/GaN single quantum wells were grown by molecular beam epitaxy on the silicon substrate onto thin AlN and GaN buffer layers. The InGaN/GaN structure is porosified using a combination of SixNy nanomasking and sublimation and compared with a non-p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.