Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"B. Bunday"'
Autor:
B. Sapp, B. Bunday, P. Hansen, W. Advocate, C. Hobbs, T. Murray, E. Barth, D. Ashworth, S. S. Papa Rao, S. Novak, S. Bennett, S. Olson, C. C. Hung, R. Goldblatt, P. Kearney, Kevin Osborn, J. Hedrick, D. DiPaola, Eric Holland, Brendan O'Brien, M. Rodgers, B. Baker-O'Neal, M. Malloy, N Foroozani
Qubit information processors are increasing in footprint but currently rely on e-beam lithography for patterning the required Josephson junctions (JJs). Advanced optical lithography is an alternative patterning method, and we report on the developmen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::87c1e9696a47299f14fd4dbd21f53688
http://arxiv.org/abs/1902.08501
http://arxiv.org/abs/1902.08501
Autor:
B. Bunday, J. Allgair
Publikováno v:
2006 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing.
State-of-the-art critical dimension (CD) metrology tools have had difficulty keeping pace with the extremely stringent lithography and etch CD measurement requirements in cutting-edge device fabrication facilities. These tight CD control requirements
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d69627575f9472f044390de442a8ae53
https://doi.org/10.1109/issm.2006.4493031
https://doi.org/10.1109/issm.2006.4493031
Autor:
B. Bunday, S. Myhajlenko, M. Pratt, J. A. Allgair, P. Boland, G. M. Laws, A. Handugan, H. Wang, T. Eschrich, S. Milicic
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 25:102
The authors report on the realization of an enhanced process protocol for producing sub-20nm wide lines with extremely narrow pitches in electron beam resist using a low temperature development process. Linewidths ranging from 10to50nm with a pitch r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81f0c3e4ea864d06f96e90a2e19fb15f
https://doi.org/10.1116/1.2426976
https://doi.org/10.1116/1.2426976
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nuclear medicine communications. 8(4)
The random walk function is a mathematical function derived from studies of the mass transport and flow of diffusible materials through tubes. Approximations to the function were first used some time ago in the field of cardiac tracer dilution curves
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1b08178e7f3c75f92eb8fec0a122b7d8
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/3684098
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/3684098
Autor:
N Foroozani, C Hobbs, C C Hung, S Olson, D Ashworth, E Holland, M Malloy, P Kearney, B O’Brien, B Bunday, D DiPaola, W Advocate, T Murray, P Hansen, S Novak, S Bennett, M Rodgers, B Baker-O’Neal, B Sapp, E Barth
Publikováno v:
Quantum Science & Technology; Apr2019, Vol. 4 Issue 2, p1-1, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.